ENX2020雪崩耐量测试系统
系统概述：
半导体分立器件作为在电力电子行业中应用最为广泛的基础元件，其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能 够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量。
雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压 时的抗击穿能力。电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输 出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些 电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。
该测试系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A，电压 4500V，雪崩能量可达 2000J。测试的电压和电 流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理后，将测试数据以 EXCEL 表格形式显示并进行最终 的编辑和打印,同时可观测雪崩波形。设备可满足各种封装形式的功率模块测试需求，并预留电压电流扩展功能。
系统模块：
主控单元、电源模块、高压输出模块、电流输出模块、数据采集模块、驱动电路、保护电路
系统特征：
雪崩能量/电流超限提示、设备配有应急装置、可设置保护电压、可连接handler
测试结果保存为Excel、测试波形采集及显示、
规格/环境要求：
尺 寸：800x800x1800(mm)
质 量：210kg
环境湿度：15~40℃
工作电压：AC220V?10%无严重谐波
电网频率：50Hz?1Hz
大气压力：86Kpa~106Kpa
通信接口：USB RS232
系统功耗：320W
功能指标：
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配置
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测试范围
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测试参数
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条件
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范围
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电压
1000V
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IGBTs
绝缘栅双极型晶体管
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EAS/单脉冲雪崩能量
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VCE
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20V～4500V
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20~100V?3%?1V
100~1000V?3%?5V
1000V~4500V?3%?10V
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电流
200A
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MOSFETs
MOS场效应管
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EAR/重复脉冲雪崩能量
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Ic
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1mA～200A
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1mA～100mA?3%?0.1mA
100mA～2A?3%?5mA
2A～200A?3%?50mA
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DIODEs
二极管
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IAS/单脉冲雪崩电流
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Ea
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1J～2000J
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1J～100J?3%?1J
100J～500J?3%?5J
500J～2000J?3%?10J
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PAS/单脉冲雪崩功率
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IC检测
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50mV/A（取决于传感器）
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感性负载
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10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、
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重复间隙时间
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1~60s可调（步进1s） 重复次数：1~50次
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